南京电子器件研究所 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室, 江苏 南京210016
采用MOCVD技术在c面蓝宝石衬底上外延制备了N极性GaN薄膜。通过KOH腐蚀的方法判定了GaN外延薄膜的极性。通过X射线双晶衍射(XRD)摇摆曲线和光致荧光(PL)谱测试研究了成核层生长时间对N极性GaN薄膜晶体质量和发光性能的影响。研究结果表明, 成核层生长时间为300 s时, N极性GaN薄膜样品的位错密度最低, 发光性能最好。采用拉曼(Raman)光谱对样品的应变状态进行了分析。
氮化镓 氮极性 成核层 金属有机物化学气相沉积 GaN N-polar nucleation layer MOCVD
南京电子器件研究所 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室, 江苏 南京210016
重p型掺杂GaAsSb广泛应用于InP HBT基区材料, 重掺杂影响GaAsSb材料的带隙和费米能级等重要参数, 这些参数对设计高性能HBT起着关键作用。本文通过间接跃迁模型研究了p+-GaAsSb材料的荧光性质, 以及费米能级与Sb组分的关系。由于费米能级与空穴有效质量mh和空穴态密度nh存在函数关系, 我们通过荧光测量并计算了空穴有效质量mh和空穴态密度nh,研究结果表明mh和nh共同主导了费米能级的变化。
费米能级 GaAsSb GaAsSb HBT HBT Fermi level
1 Nat. Key Lab. of High Power Semicond. Laser, Changchun Institute of Opt. and Fin. Mechan., Changchun 130022, CHN
2 Nanjing Electron. Device Institute,Nanjing210016, CHN
Heterostructure Quantum well Semiconductor lasers